Se ha desarrollado un nuevo material 2D tan fino como un átomo que podría abrir la puerta a una nueva generación de transistores.
El nuevo material desarrollado por un equipo internacional de investigación dirigido por Jeehwan Kim, del Instituto Tecnológico de Massachusetts (MIT), y descrito en Nature, podría innovar profundamente la producción de chips y superar los actuales límites físicos de la miniaturización de la electrónica.
Durante décadas, la mejora de la electrónica ha estado ligada a la capacidad de la industria para miniaturizar los transistores, porque cuanto menos espacio ocupan, más transistores caben en un mismo chip y, por tanto, se consiguen dispositivos más potentes. Pero desde hace algunos años, el tamaño de los transistores es tal que una mayor reducción resulta cada vez más difícil y costosa, y ahora estamos muy cerca de alcanzar límites físicos insuperables.
Una solución para abrir nuevas posibilidades de miniaturización podría venir de los materiales 2D, es decir, materiales ultrafinos (de apenas un átomo de grosor) como el grafeno, pero hasta ahora su uso a nivel industrial se ha visto limitado por la dificultad de escalar su producción de forma económica. Problemas que ahora pueden haber superado los investigadores del MIT.
El nuevo material 2D, explican los inventores, puede «cultivarse» directamente sobre obleas de silicio o zafiro (las «tortas» que se utilizan normalmente para crear chips) colocando primero una capa muy fina de dióxido de silicio, que tiene la función de crear una especie de rejilla de cultivo. Y luego vaporizar átomos que se ordenarán para formar un material 2D llamado Tmd (dicalcogenuros de metales de transición).
Una innovación que abre la posibilidad de innovar profundamente la producción de transistores y, por tanto, de llevar mucho más lejos los límites de la miniaturización.
Fuente: Web. Editado por CambioDigital OnLine
