El responsable de Producto y Tecnología Flash del Negocio de Memoria de Samsung SungHoi Hur, comentó en el lanzamiento: «Con la primera V-NAND de 9ª generación del sector, pretendemos satisfacer la creciente demanda de soluciones SSD de alto rendimiento y alta densidad, adecuadas para la IA y otras aplicaciones futuras.»
La V-NAND de 9ª generación presenta el tamaño de celda más pequeño y el molde más fino del sector, lo que mejora la densidad de bits en aproximadamente un 50% en comparación con la V-NAND de 8ª generación. Se han implementado innovaciones como la evitación de interferencias en las celdas y técnicas de prolongación de la vida útil para mejorar la calidad y fiabilidad del producto. La eliminación de los agujeros de canal ficticios también ha reducido eficazmente el área plana de las celdas de memoria.
La introducción por parte de Samsung de la tecnología de «grabado de agujeros de canal» demuestra un perfeccionamiento de las capacidades del proceso. Esta tecnología implica el apilamiento de capas de moldes y la perforación simultánea a través del mayor número de capas de celdas del sector en una estructura de doble apilamiento, lo que permite mejorar las vías de electrones y la productividad de fabricación.
La nueva V-NAND también incorpora la interfaz «Toggle 5.1», que facilita el aumento de la velocidad de entrada/salida de datos en un 33%, alcanzando hasta 3,2 gigabits por segundo (Gbps). Además, Samsung tiene previsto mejorar su oferta de SSD incorporando compatibilidad con PCIe 5.0.
Los esfuerzos por mejorar el consumo de energía han dado como resultado una reducción del 10% en comparación con la generación anterior, lo que subraya el compromiso de la empresa con la reducción del uso de energía y las emisiones de carbono. Esto convierte a la V-NAND de 9ª generación en una opción más respetuosa con el medio ambiente para futuras aplicaciones tecnológicas.
La producción en masa de la V-NAND de 9ª generación TLC de 1Tb ha comenzado este mes, y Samsung también tiene previsto introducir un modelo de célula de cuádruple nivel (QLC) a finales de año.
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