Samsung espera tener chips de 2nm en producción masiva para 2025 y planea ofrecer una producción masiva con un proceso de 1,4nm para 2027, con el objetivo de ampliar la capacidad de estos nodos de proceso avanzados «en más de 3 veces».
Los planes fueron detallados por el gigante coreano de la electrónica en su evento anual Samsung Foundry Forum en San José, California, donde la compañía dijo que continuará apuntando a los mercados de semiconductores de alto rendimiento y baja potencia como HPC, automoción, 5G e Internet de las cosas (IoT).
A principios de este año, Samsung inició la producción en masa con su tecnología de proceso de 3nm, afirmando en ese momento que había superado a su rival TSMC. La empresa mejorará su arquitectura de transistores de tipo gate-all-around (GAA) para ofrecer su proceso de 2nm en 2025 y comenzar la producción con un proceso de 1,4nm en 2027.
Sin embargo, TSMC le pisa los talones a Samsung, que anunció hace un par de meses que tenía previsto iniciar la producción en volumen de silicio de 3nm utilizando su proceso N3 en septiembre. TSMC también espera iniciar la producción de su proceso N2 de 2nm en 2025.
Por su parte, Samsung ha señalado que tendrá que tomar medidas para poder satisfacer las necesidades previstas de los clientes, incluida la optimización de la tecnología de proceso para aplicaciones específicas y servicios personalizados.
«El objetivo de desarrollo de la tecnología hasta 1,4 nm y las plataformas de fundición especializadas para cada aplicación, junto con un suministro estable a través de una inversión consistente, forman parte de las estrategias de Samsung para asegurar la confianza de los clientes y apoyar su éxito», dijo el presidente y jefe de Foundry Business, el Dr. Si-young Choi.
En cuanto a sus planes de optimización, Samsung afirma que mejorará su proceso de 3nm basado en GAA para HPC y móviles, al tiempo que diversificará aún más su actual proceso de 4nm especializado para aplicaciones de HPC y automoción.
Para los clientes del sector de la automoción, Samsung está distribuyendo actualmente soluciones de memoria no volátil integrada (eNVM) construidas con tecnología de 28nm. Para 2024, la empresa tiene previsto añadir soluciones de eNVM de 14nm a la mezcla, con eNVM de 8nm ya en proyecto para el futuro.
El gigante de la electrónica también ha dicho que pretende ampliar la capacidad de producción para los nodos de proceso más avanzados siguiendo una estrategia de inversión «Shell-First». Esto implica construir primero salas blancas, sin importar las condiciones del mercado, lo que permitirá instalar rápidamente equipos de fabricación en función de la demanda en una fecha posterior.
Samsung ha declarado que, para 2027, pretende triplicar su capacidad de producción con respecto a este año, y espera que la nueva estrategia de construcción le permita responder mejor a la demanda del mercado.
Fuente WEB | Editado por Cambiodigital OnLine