La startup británica Quinas Technology, en colaboración con el fabricante de semiconductores IQE plc, ha dado un paso significativo hacia la comercialización de UltraRAM, una tecnología de memoria que aspira a combinar las ventajas de la DRAM y la NAND flash en un solo dispositivo. Tras años de desarrollo en entornos académicos, principalmente en la Universidad de Lancaster, UltraRAM ha comenzado su transición hacia la producción industrial gracias a avances en procesos de epitaxia escalables.
Una propuesta híbrida: velocidad, persistencia y eficiencia
UltraRAM se presenta como una memoria no volátil con velocidades comparables a la DRAM, pero con una capacidad de retención de datos similar —o incluso superior— a la de la NAND flash. Su arquitectura se basa en una estructura de triple barrera de resonancia cuántica (TBRT), que permite programar y borrar celdas de memoria mediante túneles cuánticos a voltajes muy bajos, típicamente en torno a los 2.5 V. Esta característica reduce significativamente el consumo energético y mejora la durabilidad del dispositivo.
En pruebas de laboratorio, UltraRAM ha demostrado soportar más de 10 millones de ciclos de escritura/borrado sin degradación, una cifra que supera ampliamente los límites típicos de la NAND flash, que ronda los 10.000 ciclos. Además, se estima que puede retener datos durante más de mil años sin pérdida de información, incluso sin alimentación eléctrica.
Retos técnicos y materiales no convencionales
A diferencia de las memorias tradicionales basadas en silicio, UltraRAM utiliza materiales compuestos del grupo III-V de la tabla periódica, como el antimoniuro de galio (GaSb) y el antimoniuro de aluminio (AlSb). Estos materiales ofrecen propiedades electrónicas superiores, pero también plantean desafíos de integración con los procesos estándar de fabricación CMOS. Esta incompatibilidad ha sido una de las principales barreras para otras tecnologías emergentes como MRAM, ReRAM o PCM, que han tenido dificultades para escalar comercialmente.
Implicaciones industriales y perspectivas de adopción
El avance hacia la producción piloto marca un punto de inflexión para UltraRAM. Según IQE, el desarrollo de un proceso de epitaxia reproducible y escalable abre la puerta a la fabricación en volumen. Si logra superar los obstáculos de integración y costes, esta tecnología podría simplificar la arquitectura de sistemas informáticos al eliminar la necesidad de mantener dos tipos de memoria separados —RAM para velocidad y SSD para almacenamiento persistente—.
En teoría, dispositivos equipados con UltraRAM podrían ofrecer arranque instantáneo, mayor eficiencia energética y una vida útil prolongada. Esto tendría implicaciones en sectores como centros de datos, dispositivos móviles, computación embebida y sistemas industriales, donde la fiabilidad y el bajo consumo son factores críticos.
Comparaciones con intentos previos
La idea de una “memoria universal” no es nueva. Intel intentó algo similar con su plataforma Optane, basada en memoria 3D XPoint, pero abandonó el proyecto en 2022 tras no alcanzar la escala necesaria para reducir costes5. Samsung, Kioxia y Western Digital también han explorado variantes como Z-NAND y XL-FLASH, con resultados limitados en términos de adopción masiva. UltraRAM se diferencia por su enfoque cuántico y por haber alcanzado una etapa de manufactura que otros proyectos no lograron consolidar.
Fuente WEB | Editado por CDOL
